IPD110N12N3GATMA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
IPD110N12N3GATMA1.pdf

Μπορούμε να προμηθεύουμε IPD110N12N3GATMA1, χρησιμοποιήστε τη φόρμα παραγγελίας αίτησης για να ζητήσετε IPD110N12N3GATMA1 pirce και lead time.Zeano είναι επαγγελματίας διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Με 3+ εκατομμύρια στοιχεία γραμμής διαθέσιμων ηλεκτρονικών εξαρτημάτων μπορούν να αποσταλούν σε σύντομο χρονικό διάστημα, πάνω από 250.000 αριθμούς τεμαχίων ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στο απόθεμα για άμεση παράδοση, τα οποία μπορεί να περιλαμβάνουν τον αριθμό είδους IPD110N12N3GATMA1. Η τιμή και ο χρόνος παράδοσης για το IPD110N12N3GATMA1 ανάλογα με την ποσότητα απαιτείται και θέση αποθήκη. επικοινωνήστε μαζί μας και ο αντιπρόσωπός μας πωλήσεων θα σας παρέχει την τιμή. Ανυπομονούμε να συνεργαστούμε μαζί σας.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Ελάχιστο:1; Πολλαπλάσια:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Τιμή
2500	$0.821
5000	$0.79

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Κριτικές
Πληρωμή
Αποστολή
Συσκευασία

Vgs (th) (Max) @ Id:	3V @ 83µA (Typ)
Vgs (Max):	±20V
Τεχνολογία:	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	PG-TO252-3
Σειρά:	OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	11 mOhm @ 75A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):	136W (Tc)
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	4310pF @ 60V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	65nC @ 10V
FET Τύπος:	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	120V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	75A (Tc)