IRFHM8363TRPBF

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
IRFHM8363TRPBF.pdf

Μπορούμε να προμηθεύουμε IRFHM8363TRPBF, χρησιμοποιήστε τη φόρμα παραγγελίας αίτησης για να ζητήσετε IRFHM8363TRPBF pirce και lead time.Zeano είναι επαγγελματίας διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Με 3+ εκατομμύρια στοιχεία γραμμής διαθέσιμων ηλεκτρονικών εξαρτημάτων μπορούν να αποσταλούν σε σύντομο χρονικό διάστημα, πάνω από 250.000 αριθμούς τεμαχίων ηλεκτρονικών εξαρτημάτων στο απόθεμα για άμεση παράδοση, τα οποία μπορεί να περιλαμβάνουν τον αριθμό είδους IRFHM8363TRPBF. Η τιμή και ο χρόνος παράδοσης για το IRFHM8363TRPBF ανάλογα με την ποσότητα απαιτείται και θέση αποθήκη. επικοινωνήστε μαζί μας και ο αντιπρόσωπός μας πωλήσεων θα σας παρέχει την τιμή. Ανυπομονούμε να συνεργαστούμε μαζί σας.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Ελάχιστο:1; Πολλαπλάσια:1; Manufacturer lead time 10 weeks

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Κριτικές
Πληρωμή
Αποστολή
Συσκευασία

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.35V @ 25µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Σειρά:	HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	14.9 mOhm @ 10A, 10V
Ισχύς - Max:	2.7W
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	8-PowerVDFN
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	1165pF @ 10V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	15nC @ 10V
FET Τύπος:	2 N-Channel (Dual)
FET Χαρακτηριστικό:	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	11A