STH110N10F7-6

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
STH110N10F7-6.pdf

μέρος # STH110N10F7-6 είναι διαθέσιμο, δείτε την περιγραφή του STH110N10F7-6 όπως παρακάτω.
χρησιμοποιήστε τη φόρμα παραγγελίας αίτησης για να ζητήσετε την τιμή STH110N10F7-6 και το χρόνο παράδοσης.
Αγοράστε ηλεκτρονικά εξαρτήματα στο zeanoit.com. Είμαστε ένας ανεξάρτητος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων με εκτεταμένο αποθεμάτων σε απόθεμα.
Η τιμή και ο χρόνος παράδοσης για το STH110N10F7-6 εξαρτώνται από την απαιτούμενη ποσότητα, τη διαθεσιμότητα και την τοποθεσία αποθήκης. Επικοινωνήστε μαζί μας σήμερα και η ομάδα πωλήσεών σας θα σας στείλει προσφορά σύντομα.
Email: sales@zeanoit.com

Request Quote

In Stock~~554 pcs~~: Ελάχιστο:1; Πολλαπλάσια:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Τιμή
1	$2.85
10	$2.561
100	$2.098
500	$1.786

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Κριτικές
Πληρωμή
Αποστολή
Συσκευασία

Vgs (th) (Max) @ Id:	4.5V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Τεχνολογία:	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	H²PAK
Σειρά:	DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	6.5 mOhm @ 55A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):	150W (Tc)
Συσκευασία:	Original-Reel®
Συσκευασία / υπόθεση:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 175°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	5117pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	72nC @ 10V
FET Τύπος:	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:	-
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):	10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	110A (Tc)