SI4599DY-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
SI4599DY-T1-GE3.pdf

μέρος αριθ. SI4599DY-T1-GE3 Είναι αυτό ένα κοινόχρηστο μέρος; : Ναί
Αποστέλλονται από: HK ή Σιγκαπούρη αποθήκη
Το ίδιο μοντέλο μπορεί να έχει πολλαπλές παρτίδες, εικόνες μόνο για αναφορά.
Μοντέλα ECAD: Επικοινωνήστε μαζί μας για να πάρετε
Email: sales@zeanoit.com

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Ελάχιστο:1; Πολλαπλάσια:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Τιμή
2500	$0.35
5000	$0.326
12500	$0.314

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Κριτικές
Πληρωμή
Αποστολή
Συσκευασία

Vgs (th) (Max) @ Id:	3V @ 250µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	8-SO
Σειρά:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	35.5 mOhm @ 5A, 10V
Ισχύς - Max:	3W, 3.1W
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	640pF @ 20V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	20nC @ 10V
FET Τύπος:	N and P-Channel
FET Χαρακτηριστικό:	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	6.8A, 5.8A