DMG7702SFG-7

Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
DMG7702SFG-7.pdf

1.Επιβεβαιώστε τις λεπτομέρειες που περιλαμβάνουν το μέρος no.and τον κατασκευαστή των προϊόντων κατά την παραγγελία.
2.Αν χρειάζεστε να παραθέσετε τη λίστα του λογαριασμού υλικού (BOM), θα μπορούσατε να στείλετε στο email μας.
3. Μπορείτε να μας στείλετε μήνυμα ηλεκτρονικού ταχυδρομείου για να αλλάξετε τα στοιχεία της παραγγελίας πριν από την αποστολή.
4. Οι παραγγελίες δεν μπορούν να ακυρωθούν μετά την αποστολή των πακέτων.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Ελάχιστο:1; Πολλαπλάσια:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Τιμή
2000	$0.213
6000	$0.199
10000	$0.186

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Κριτικές
Πληρωμή
Αποστολή
Συσκευασία

Vgs (th) (Max) @ Id:	2.5V @ 250µA
Vgs (Max):	±20V
Τεχνολογία:	MOSFET (Metal Oxide)
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	PowerDI3333-8
Σειρά:	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Έκλυση ενέργειας (Max):	890mW (Ta)
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	8-PowerWDFN
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	4310pF @ 15V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	31.6nC @ 10V
FET Τύπος:	N-Channel
FET Χαρακτηριστικό:	Schottky Diode (Body)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση Rds On, Min Rds On):	4.5V, 10V
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	12A (Ta)