SI1024X-T1-GE3

Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89-6
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Διακριτά προϊόντα ημιαγωγών
SI1024X-T1-GE3.pdf

Μπορούμε να προμηθεύσουμε Vishay / Siliconix SI1024X-T1-GE3, χρησιμοποιήστε τη φόρμα παραγγελίας αίτησης για να ζητήσετε SI1024X-T1-GE3 pirce, Vishay / Siliconix Datasheet PDF και lead time.Zeanoit.com είναι ένας επαγγελματικός διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων. Με 3+ εκατομμύρια στοιχεία γραμμής διαθέσιμων ηλεκτρονικών εξαρτημάτων μπορούν να μεταφερθούν σε σύντομο χρονικό διάστημα, πάνω από 250.000 τεμάχια των ηλεκτρονικών εξαρτημάτων που είναι αποθηκευμένα για άμεση παράδοση, τα οποία μπορεί να περιλαμβάνουν τον αριθμό είδους SI1024X-T1-GE3. Η τιμή και ο χρόνος παράδοσης για το SI1024X-T1-GE3 ανάλογα με την ποσότητα απαιτείται, διαθεσιμότητα και θέση αποθήκης.

Request Quote

Out Stock~~0 pcs~~: Ελάχιστο:1; Πολλαπλάσια:1; Manufacturer lead time 10 weeks

Τιμή
3000	$0.146
6000	$0.137
15000	$0.128
30000	$0.121

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Κριτικές
Πληρωμή
Αποστολή
Συσκευασία

Vgs (th) (Max) @ Id:	900mV @ 250µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:	SC-89-6
Σειρά:	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:	700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Ισχύς - Max:	250mW
Συσκευασία:	Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:	SOT-563, SOT-666
Θερμοκρασία λειτουργίας:	-55°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:	Surface Mount
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:	-
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:	0.75nC @ 4.5V
FET Τύπος:	2 N-Channel (Dual)
FET Χαρακτηριστικό:	Logic Level Gate
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):	20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:	485mA